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非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚...

我司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線(xiàn)，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，主營(yíng)非接觸方阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率...

霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無(wú)損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行檢測(cè)的方法。當(dāng)載有交變電流的試驗(yàn)線(xiàn)圈靠近導(dǎo)體工件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，進(jìn)而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流，即渦流。渦流的大小、相位及流動(dòng)形式受到工件性質(zhì)（如電導(dǎo)...

設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制

PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào)、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素，因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線(xiàn)鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn)，因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外，如果...

我司主營(yíng)：晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，遷移率少子壽命測(cè)試儀。

渦流法電阻率測(cè)試儀的樣品尺寸：2“-8“或者16mm×16mm的方形樣品；遷移率測(cè)量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；方塊電阻測(cè)量范圍：100-3000（ohm/sq)；載流子...

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

主營(yíng)產(chǎn)品：晶圓方阻測(cè)試儀、晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，測(cè)試硅片，碳化硅、科研大學(xué)提供服務(wù)。