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電化學(xué)EC-V剖面濃度測試儀可高效、準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
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電化學(xué)EC-V剖面濃度測試儀可高效、準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學(xué)ECV剖面濃度測試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。
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